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5G時代喚醒InP 老材料煥發(fā)芯機
作為第二代半導(dǎo)體材料代表的磷化銦（InP），具有高的電光轉(zhuǎn)換效率、高的電子遷移率、高的工作溫度、以及強抗輻射能力的特點，廣泛應(yīng)用在光通信、高頻毫米波
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2021
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中國第一所“芯片大學(xué)”或?qū)⒙涑?
前不久召開的“第三屆半導(dǎo)體才智大會”上，國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心主任、東南大學(xué)首席教授時龍興向社會宣布，中國第一所“芯片大學(xué)”即將落成。該高校選址在地理位置優(yōu)越的南京，命名為“南京集成電路大學(xué)”，這將是中國第一所專門培養(yǎng)芯片人才的高校 。
第三代半導(dǎo)體SIC：爆發(fā)式增長的明日之星
功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率（理想轉(zhuǎn)化率100%），基于SIC材料的功率器件相比傳統(tǒng)的Si基功率器件效率高
揭秘第三代半導(dǎo)體碳化硅！爆發(fā)增長的明日之星，國產(chǎn)前途無量
近日有消息稱，中國正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中，計劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，舉全國之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面對第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。
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