5G時代喚醒InP 老材料煥發(fā)芯機(jī)
發(fā)布時間：
2021-11-18 16:02
作為第二代半導(dǎo)體材料代表的磷化銦（InP），具有高的電光轉(zhuǎn)換效率、高的電子遷移率、高的工作溫度、以及強(qiáng)抗輻射能力的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在光通信、高頻毫米波、光電集成電路和外層空間用太陽電池等領(lǐng)域。根據(jù)Yole測算，2021年全球2英寸InP襯底需求達(dá)到約400萬片，4英寸InP襯底需求約105萬片。到2024 年，InP 市場規(guī)模將達(dá)到1.72 億美元，年復(fù)合年增長率為14%。
InP是激光收發(fā)器重要的半導(dǎo)體材料，處于產(chǎn)業(yè)鏈上游；激光器和接收器是光模塊能進(jìn)行光電信號轉(zhuǎn)換的核心器件，處于產(chǎn)業(yè)鏈中游；以亞馬遜、微軟為代表的云計算廠商是光通信產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用端，處于產(chǎn)業(yè)鏈下游。5G 時代光通信行業(yè)迎來快速發(fā)展，5G 基站網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的變化增加對光模塊的需求，激光器和探測器是光模塊的關(guān)鍵光電器件，產(chǎn)能有望擴(kuò)張，進(jìn)一步帶動光通信核心半導(dǎo)體材料InP需求的增長。
5G 網(wǎng)絡(luò)高頻、高速的特性要求前端射頻組件具備在高頻、高功率下更好的性能表現(xiàn)，從而對其半導(dǎo)體材料電子遷移率和工作溫度等物理性能提出了更高的要求。利用InP制造的信號接收機(jī)和放大器可以工作在100GHz以上的極高頻率，并且有很寬的帶寬，受外界影響小，穩(wěn)定性高。因此InP在5G 時代將成為終端設(shè)備以及基站設(shè)備前端射頻器件的核心半導(dǎo)體材料，迎來更大市場空間。
來源：化合物半導(dǎo)體網(wǎng)站
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