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SKY-P42R05（8”x2)
碳化硅外延設備是用于碳化硅芯片生產的核心環(huán)節(jié)—外延層生長的專用設備，這一過程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導體器件的關鍵步驟。納設智能全自動雙腔設備采用創(chuàng)新的雙反應腔協(xié)同設計，通過模塊化腔體結構和智能控制系統(tǒng)，實現雙腔同步運行與工藝參數獨立調控，為規(guī)?；慨a提供了更優(yōu)解決方案。
智能制造 兼容AGV&天車，可實現全自動化配套； 配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿足不同產品規(guī)格。 自主安全 通過SEMI認證，符合行業(yè)標準和規(guī)范； 具備自主知識產權，具有獨特的技術優(yōu)勢。
SKY-P40R02（8”x1)
納設智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術路線實現外延生長，獨創(chuàng)的反應腔室設計配備可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時降低外延缺陷率。
反應腔室 石墨腔室配件數量少，結構更簡化；? 腔室進氣/傳片方式獨特，減少外延掉落物。 尾氣系統(tǒng) 維護僅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；? 維護無需分離傳輸腔，只打開腔室后端法蘭，維護簡易。 氣體系統(tǒng) 5區(qū)進氣，乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨立控制；? 各區(qū)碳硅比獨立控制，調整更靈活。 晶圓控制 工藝中晶圓轉速可精確調控；? 工藝中晶圓高度位置精確調控。
SKY-P20R02（6”x1)
納設智能的6英寸碳化硅外延設備，采用水平熱壁技術路線實現單片式生長，兼容6英寸、4英寸外延片，設備性能可靠，已穩(wěn)定量產。
精確：氣路獨立可控 ● 精湛：工藝指標優(yōu)異 ● 低耗：耗材成本更低? ● 省時：維護頻次更低? ● 進階：NP型靈活切換
空間型原子層沉積設備
通過物理分隔反應區(qū)實現空間交替：基板在移動中依次經過前驅體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅體B區(qū)，單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能：片內/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產品特色：A源B源氣路獨立，工藝距離可調，源瓶壓力可控，自動傳片及取片，可擴展腔體及氣路數量，支持客戶定制
時間型原子層沉積設備
采用時間順序交替引入前驅體，在單一反應腔內完成循環(huán)：前驅體A脈沖→抽空→前驅體B脈沖→抽空
薄膜性能：片內/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產品特色：A源B源氣路獨立，工藝距離可調，電動開蓋，15英寸工業(yè)級觸摸屏， 支持客戶定制
開放式卷對卷石墨烯制備設備是一種用于大規(guī)模生產石墨烯薄膜的關鍵設備。這種設備采用卷對卷（roll-to-roll）的生產方式，即將基底材料（如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜等）和石墨烯前體材料以連續(xù)的方式卷繞在輥筒之間，并在適當的溫度和氣氛下進行熱解，使石墨烯層沉積在基底上，開放式卷對卷石墨烯制備設備可實現大規(guī)模、高效率的石墨烯薄膜生產，為石墨烯在電子、光學和能源領域的廣泛應用提供了關鍵支持。
● 大規(guī)模生產能力：開放式卷對卷石墨烯制備設備能夠實現連續(xù)、高效率的生產，適用于大規(guī)模石墨烯薄膜的制備。 ● 高質量石墨烯生長：通過優(yōu)化反應條件和熱解參數，設備能夠實現高質量、均勻的石墨烯生長，具有優(yōu)異的電學和物理性能。 ● 可調控性：設備具有較高的工藝可調控性，能夠調整石墨烯的厚度、晶格結構和形貌，以滿足不同應用的需求。
科研級MOCVD設備
化學氣相沉積（CVD）設備是一種關鍵的制備工具，被廣泛應用于材料制備和表面工程領域。CVD設備的工作原理是通過將氣態(tài)前體物質在恰當的溫度、壓力和反應條件下與基底表面反應，從而形成所需的薄膜結構，在半導體、光電子器件、表面涂層等領域有著廣泛的應用。
● 高質量薄膜生長：能夠實現對材料生長過程的精確控制 ● 高性能材料制備：可以制備出各種特定要求的功能性材料 ● 高效率生產：能夠在相對短的時間內完成大面積薄膜的生長 ● 廣泛應用性：MOCVD設備廣泛應用于LED、LD、太陽能電池等領域，為這些器件的制備提供了關鍵的材料基礎。
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