首頁
關(guān)于納設(shè)
公司簡介
企業(yè)文化
發(fā)展歷程
資質(zhì)與榮譽(yù)
相關(guān)專利
產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用
產(chǎn)品系列
碳化硅外延設(shè)備
原子層沉積設(shè)備
科研級定制化CVD設(shè)備
開放式卷對卷石墨烯制備設(shè)備
應(yīng)用領(lǐng)域
光伏鈣鈦礦
第三代半導(dǎo)體
二維材料
新聞中心
公司動態(tài)
行業(yè)資訊
誠聘英才
聯(lián)系我們
0755-23243345
中文版
English
空間型原子層沉積設(shè)備
通過物理分隔反應(yīng)區(qū)實現(xiàn)空間交替：基板在移動中依次經(jīng)過前驅(qū)體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅(qū)體B區(qū)，單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能：片內(nèi)/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產(chǎn)品特色：A源B源氣路獨立，工藝距離可調(diào)，源瓶壓力可控，自動傳片及取片，可擴(kuò)展腔體及氣路數(shù)量，支持客戶定制
時間型原子層沉積設(shè)備
采用時間順序交替引入前驅(qū)體，在單一反應(yīng)腔內(nèi)完成循環(huán)：前驅(qū)體A脈沖→抽空→前驅(qū)體B脈沖→抽空
薄膜性能：片內(nèi)/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產(chǎn)品特色：A源B源氣路獨立，工藝距離可調(diào)，電動開蓋，15英寸工業(yè)級觸摸屏， 支持客戶定制
全國咨詢熱線:
郵箱：[email protected] 地址：深圳市光明區(qū)鳳凰街道鳳凰社區(qū)觀光路招商局光明科技園A3C棟3樓
COPYRIGHT 2024 深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司
網(wǎng)站制作：中企動力 深圳
